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[发明专利]接触开口及其形成方法-CN201710464039.2有效
发明人：萧寒稊;孙志鸿;邱意为;王冠程;蔡释严;陈致宇;吴文成 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-06-19 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：之后，蚀刻层间电介质以形成接触开口，其中，图案化的掩模用作第二蚀刻掩模。本发明的实施例还涉及接触开口及其形成方法。
接触开口及其形成方法

[发明专利]接触窗开口的制造方法-CN200610005889.8无效
发明人：陈高惇;萧立东 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2006-01-19 - 公布日： 2007-07-25 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种接触窗开口的制造方法。首先于基底上形成一层掩模层，再于掩模层中沿两个方向分别形成多个沟槽。此两个方向互相交错。沟槽的深度不大于掩模层的厚度，但于沟槽与沟槽交错处的掩模层会形成开口，此开口暴露基底。移除开口所暴露的部分基底，以在基底中形成接触窗开口。在光刻工艺中，由于形成线状图案较形成点状图案容易控制，因此可精确地掌控接触窗开口的尺寸。
接触开口制造方法

[发明专利]自行对准接触窗开口/无边界接触窗开口的结构及形成方法-CN200310115240.8有效
发明人：钟嘉麒 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2003-11-24 - 公布日： 2004-11-24 - 主分类号： H01L21/30 文献下载
摘要：本发明是关于一种自行对准接触窗开口/无边界接触窗开口的结构及形成方法。在闸极结构至少一侧壁上形成氧化物间隙壁；接着，在基底上方形成共形的衬层，以覆盖闸极结构、氧化物间隙壁与浅沟渠隔离结构；继之，在基底上形成层间介电层，以覆盖共形的衬层；然后图案化层间介电层，以定义出自行对准接触窗开口/无边界接触窗开口。本发明还揭露了自行对准接触窗开口/无边界接触窗开口的结构。其使闸极顶部顶盖层厚度降低，使自行对准接触窗开口与无边界接触窗开口的深宽比降低，而可提高蚀刻制程有效制程窗尺寸。
自行对准接触开口边界结构形成方法

[发明专利]栅极接触开口的蚀刻轮廓控制-CN202110637591.3在审
发明人：熊德智;王鹏;林焕哲;吴俊德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本公开涉及栅极接触开口的蚀刻轮廓控制。一种方法包括：在半导体衬底之上形成栅极结构；回蚀刻该栅极结构；在经回蚀刻的栅极结构之上形成栅极电介质帽盖；在栅极电介质帽盖之上沉积抗蚀刻层；在抗蚀刻层之上沉积接触蚀刻停止层，并在接触蚀刻停止层之上沉积层间电介质(ILD)层；执行第一蚀刻工艺以形成栅极接触开口，该栅极接触开口延伸穿过ILD层并在到达抗蚀刻层之前终止；执行第二蚀刻工艺以加深栅极接触开口，其中，第二蚀刻工艺以比蚀刻接触蚀刻停止层慢的蚀刻速率来蚀刻抗蚀刻层；以及在经加深的栅极接触开口中形成栅极接触件。
栅极接触开口蚀刻轮廓控制

[发明专利]开口及接触窗的制造方法-CN200510129715.8有效
发明人：郑懿芳;周孝邦 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2005-12-01 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种开口及接触窗的制造方法。在开口的制造过程中，在于介电层上形成光致抗蚀剂层以定义开口图案之前，先对裸露的介电层表面进行一处理步骤以形成一膜层，可防止因介电材料成分外逸而与光致抗蚀剂层产生反应，进而造成显影不完全的问题。另一方面，在形成接触窗的制造过程中，在接触窗开口表面形成一阻障层之前，先对裸露的介电层表面进行一处理步骤以形成一膜层，可防止因介电材料成分外逸而与阻障层产生反应，进而使阻障层产生缺陷的问题。
开口接触制造方法

[发明专利]制作开口与接触孔的方法-CN200510113870.0有效
发明人：曹博昭;黄昌琪;陈铭聪 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2005-10-21 - 公布日： 2007-04-25 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：接着图案化上述介电层以于上述介电层中形成多个开口，并暴露出位于上述开口底部的蚀刻停止层。随后形成一介电薄膜，覆盖于上述介电层的表面、上述开口的内壁与暴露出的蚀刻停止层上。
制作开口接触方法

[发明专利]接触窗开口的形成方法-CN201110412986.X无效
发明人：蔡孟峰;张宜翔;林嘉祺;陈奕炘;吴家铭 -专利权人：力晶科技股份有限公司
申请日： 2011-12-13 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开一种接触窗开口的形成方法，其包括下列步骤。首先，提供基底，基底包括密集区与独立区。接着，在基底上形成材料层。然后，在密集区中的材料层上形成多个牺牲图案，且在相邻两个牺牲图案之间具有第一开口。之后，移除牺牲图案，而于相邻两个间隙壁之间形成第二开口。再者，形成填满第二开口的平坦层。随后，在平坦层中形成第一狭缝，第一狭缝暴露出位于第二开口下方的部分材料层。继之，移除由第一狭缝所暴露出的部分材料层，而在材料层中形成多个第三开口。
接触开口形成方法

[发明专利]形成接触窗开口的蚀刻方法-CN200510079420.4无效
发明人：周珮玉 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2005-06-21 - 公布日： 2006-12-27 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种形成接触窗开口的蚀刻方法。提供具有至少例如栅极结构的一元件的基底，基底上依序形成有一金属硅化物层、一保护层、一间介电层、一掩模层与一图案化的光致抗蚀剂层。蚀刻形成接触窗开口的过程中，因金属硅化物层被保护层所覆盖且光致抗蚀剂去除步骤于移除部份保护层前进行，金属硅化物层不会损伤或劣化；且所采用的光致抗蚀剂去除步骤可有效率地移除光致抗蚀剂而较无光致抗蚀剂残留的问题
形成接触开口蚀刻方法

[发明专利]接触窗开口的形成方法-CN200610091526.0无效
发明人：纪盈州;王荣铎;杜英宗;徐朝焕 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2006-06-06 - 公布日： 2007-12-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种接触窗开口的形成方法，此方法是先提供一基底，且此基底上至少具有一介电层。接着，在介电层上形成光阻层，然后再进行等离子体蚀刻制程，以于光阻层中形成一第一开口，并同时在介电层中形成一第二开口。其中，第一开口位于第二开口上方，且第一开口的底部孔径小于第二开口的顶部孔径。之后，将光阻层从介电层上移除。依此方法可形成暴露出至少有一部分不会被氧化的接触窗开口，以避免此导电图案与填入接触窗开口的导电层间的阻值过高。
接触开口形成方法

[实用新型]内环开口的角接触球轴承-CN200920223126.X有效
发明人：李德伦;史文华;王耀兵;胡成威;张东华;袁宝峰;王友渔;肖涛;郭芳;秦宇;金俨 -专利权人：北京空间飞行器总体设计部
申请日： 2009-09-30 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： F16C19/16 文献下载
摘要：内环开口的角接触球轴承，主要由一侧开口的内环，外环、保持架和滚动体等组成，滚动体安装在保持架里面，保持架安装在外环和一侧开口的内环之间，保持架将滚动体均匀的隔开，滚动体与外环滚道和一侧开口的内环滚道贴合，保证外环和一侧开口的内环的同轴。它可解决现有的角接触球轴承由于产品内部零部件间结构的限制而不能采用背对背布置，从而造成产品抗倾覆力矩能力小的问题。
内环开口接触球轴承

[发明专利]开口式连接器插孔接触件-CN201711090451.9在审
发明人：许军刚;杨小锋 -专利权人：武汉德泰纳新能源技术有限公司
申请日： 2017-11-08 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01R24/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种开口式连接器插孔接触件，其包括接连接部和弹性插接部，所述接连接部一端轴向向外延伸出多个周向分布设置的弹性卡条，所述弹性卡条合围形成弹性插接部，所述弹性插接部的内径沿弹性卡条的延伸方向逐渐减小通过设置所述弹性插接部的内径沿弹性卡条的延伸方向逐渐减小，其最大内径与插针的外径一致，使得当所述插针插入所述弹性插接部中时，所述弹性卡条呈水平设置，其内壁与插针的外壁贴合设置，形成面接触，从而提高了导电性能，并减小了接触电阻，其相比同样规格的接触件结构更加紧凑，可以在较大范围内制作不同孔径大小的接触件，并能通载更大电流及信号。
开口连接器插孔接触

[发明专利]自动对准接触窗开口的制造方法-CN01109532.6有效
发明人：刘豪杰;许伯如;陈锡铨;黄森焕 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2001-03-30 - 公布日： 2002-11-06 - 主分类号： H01L21/30 文献下载
摘要：一种自动对准接触窗开口的制造方法,系以复晶硅材质保护导线上方的顶盖层,或甚至保护至导线侧壁的间隙壁的角落,之后利用传统的氧化硅蚀刻配方蚀刻氧化硅层,以形成自动对准接触窗开口,而此种传统的氧化硅蚀刻配方除了氧化硅对氮化硅有高的选择蚀刻比外
自动对准接触开口制造方法

[实用新型]开口式连接器插孔接触件-CN201721507827.7有效
发明人：许军刚;杨小锋 -专利权人：武汉德泰纳新能源技术有限公司
申请日： 2017-11-08 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H01R24/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种开口式连接器插孔接触件，其包括接连接部和弹性插接部，所述接连接部一端轴向向外延伸出多个周向分布设置的弹性卡条，所述弹性卡条合围形成弹性插接部，所述弹性插接部的内径沿弹性卡条的延伸方向逐渐减小通过设置所述弹性插接部的内径沿弹性卡条的延伸方向逐渐减小，其最大内径与插针的外径一致，使得当所述插针插入所述弹性插接部中时，所述弹性卡条呈水平设置，其内壁与插针的外壁贴合设置，形成面接触，从而提高了导电性能，并减小了接触电阻，其相比同样规格的接触件结构更加紧凑，可以在较大范围内制作不同孔径大小的接触件，并能通载更大电流及信号。
弹性插接部弹性卡条插针接触件连接器插孔外径一致逐渐减小开口式接部本实用新型接触件结构导电性能接触电阻水平设置贴合设置周向分布大电流弹性卡形成面合围延伸减小外壁轴向紧凑伸出制作

[实用新型]开口销钉式交流接触器-CN200720028735.0无效
发明人：李信;张金生 -专利权人：山东梁邹矿业集团有限公司
申请日： 2007-10-18 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： H01H50/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及交流接触器，具体为一种开口销钉式交流接触器，其目的在于提供一种紧固牢实的开口销钉式交流接触器。本实用新型的具体技术方案为：开口销钉式交流接触器，包括非磁性元件和动磁件，非磁性元件和动磁件通过开口销钉紧固连接。本实用新型的有益效果为：采用开口销钉紧固非磁性元件和动磁件，紧固牢实、松动脱落率低，提高了工作效率。
开口销钉交流接触器

[发明专利]形成窄间隔闪存接触开口的方法-CN200580027422.7有效
发明人： E·H·林圭尼斯;N·程;M·拉姆斯贝;K·甘德哈瑞;A·明维列;H－E·金 -专利权人：斯班逊有限公司
申请日： 2005-04-29 - 公布日： 2007-10-10 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明提供了一种在光刻掩模上产生若干光学特征以供用来产生半导体装置晶片上的蚀刻掩模的一系列开孔的图案的方法(210)，该方法包含下列步骤：在该光刻掩模上沿着该第一方向产生(300，310)相互间隔开的一系列光学特征，其中所述个别的光学特征具有小于将在该蚀刻掩模中产生图案的所述开孔的所需第一尺寸的沿着该第一方向的若干第一掩模特征尺寸。
形成间隔闪存接触开口方法

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